专利详情

专利名称	基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器
申请号	CN201310019361.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103078250A	公开（授权）日	2013.05.01
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘建国;郭锦锦;黄宁博;孙文惠;邓晔;祝宁华
主分类号	H01S5/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/12(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I
专利有效期	基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器至基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器，包括：一缓冲层；一下波导层，该下波导层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下包层上；一光栅层，该光栅层制作在多量子阱有源层上；一上波导层，该上波导层制作在光栅层上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；一P电极，该P电极制作在接触层上；一N电极，该N电极制作在缓冲层的背面。本发明可以克服外部反射光对激光器内部的影响，压窄激光线宽，增加激光器的频率稳定性和增大输出功率的效果。