一种阴离子交换膜及其制备和应用
- 申请号：CN201010524782.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院大连化学物理研究所
- 公开(公开)号：CN102451620A
- 公开(公开)日：2012.05.16
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种阴离子交换膜及其制备和应用 | ||
| 申请号 | CN201010524782.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102451620A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 张华民;张凤祥;曲超 |
| 主分类号 | B01D71/06(2006.01)I | IPC主分类号 | B01D71/06(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I;B01J41/12(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I;H01M8/02(2006.01)I;H01M2/16(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种阴离子交换膜及其制备和应用 至一种阴离子交换膜及其制备和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种阴离子交换膜及其制备方法和应用，提出一种侧链上含有多氮杂环正离子作为导离子基团的阴离子交换膜及其制备方法。该类阴离子膜的制备采用先成盐后制膜的路线，成盐过程为均相反应，反应容易进行；浇铸成膜过程中容易形成微相分离结构，有利于提高膜的电导性能，所得阴离子膜具有较高的电导率和稳定性。 | ||
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