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一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法

  • 申请号:CN201010613934.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN102179967A
  • 公开(公开)日:2011.09.14
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法
申请号 CN201010613934.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102179967A 公开(授权)日 2011.09.14
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 陈莹;董显林;王根水;张帅
主分类号 B32B9/04(2006.01)I IPC主分类号 B32B9/04(2006.01)I;C04B35/47(2006.01)I;C04B35/472(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I
专利有效期 一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法 至一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜,为层状结构,是由钛酸锶铅薄膜层、镧锶锰氧薄膜层及基底层依次由上至下层叠而成。所述复合薄膜的制备是首先使用醋酸或醋酸和去离子水作为溶剂,制得稳定的镧锶锰氧前驱体溶液和钛酸锶铅前驱体溶液;再采用旋转镀膜法先在基底片上制备所需要厚度的镧锶锰氧薄膜,再在所制得的镧锶锰氧薄膜上制备所需要厚度的钛酸锶铅薄膜,最后快速冷却到室温即可。本发明的复合薄膜具有均匀性好、粗糙度小、无微裂纹,性能稳定,且具有良好的电学性能、铁磁性能及磁介电效应等优点,可与半导体集成电路技术相兼容,用于制造集成的多功能磁/电器件,且制备工艺简单,原料价廉、无毒,污染小,适合规模化生产。

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