专利详情

专利名称	提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管
申请号	CN201110115323.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102185056A	公开（授权）日	2011.09.14
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	马平;王军喜;魏学成;曾一平;李晋闽
主分类号	H01L33/02(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/02(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I
专利有效期	提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管至提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，在该n型接触层的上面的一侧形成一台面；一下多周期n型电子耦合层制作在n型接触层上台面另一侧的上面；一下隧穿势垒层制作在下多周期n型电子耦合层上；一上多周期n型电子耦合层制作在下隧穿势垒层上；一上隧穿势垒层制作在上多周期n型电子耦合层上；一多周期活性发光层制作在上隧穿势垒层上；一负电极制作在n型接触层的台面上；一p型电子阻挡层制作在多周期活性发光层上；一p型接触层制作在p型电子阻挡层上；一正电极制作在p型接触层上，形成氮化镓系发光二极管的结构。