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一种体硅可调谐光学滤波器及制作方法

  • 申请号:CN201110120151.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN102200667A
  • 公开(公开)日:2011.09.28
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种体硅可调谐光学滤波器及制作方法
申请号 CN201110120151.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102200667A 公开(授权)日 2011.09.28
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 李四华;吴亚明
主分类号 G02F1/21(2006.01)I IPC主分类号 G02F1/21(2006.01)I
专利有效期 一种体硅可调谐光学滤波器及制作方法 至一种体硅可调谐光学滤波器及制作方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种体硅可调谐光学滤波器由体硅调谐腔,高掺杂的体硅电阻加热器,下悬臂梁、上悬臂梁,表面高掺杂的左悬臂梁、表面高掺杂的右悬臂梁,金属导线、应力平衡金属导线、左引线区域,右引线区域和支撑SOI硅基底11构成。其采用高电阻率的SOI硅片并利用体硅加工工艺制作获得。包括:(a)SOI硅片器件层表面制作高掺杂区域;(b)硅片器件层表面溅射金属并制作金属结构;(c)硅片器件层表面制作体硅调谐腔和各悬臂梁结构;(d)从硅片下表面衬底层释放体硅调谐腔及悬臂梁结构;(e)在体硅调谐腔上下表面制作高反射膜,形成光学F-P干涉腔体。所制作的该滤波器具有很好的光学性能,且工艺制作简单,结构可靠性高。

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