
一种进气结构
- 申请号:CN201110345338.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN102420120A
- 公开(公开)日:2012.04.18
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种进气结构 | ||
申请号 | CN201110345338.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102420120A | 公开(授权)日 | 2012.04.18 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 席峰;胡冬冬;刘训春;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 |
主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
专利有效期 | 一种进气结构 至一种进气结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域,具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构,包括进气管、匀气筒和匀气盘,所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部,所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内,所述匀气盘设置在所述匀气筒下方。本发明的进气结构形成两个空间,保证两个空间的气流压力梯度在一定范围,有利于反应腔室内气流密度均匀一致;等离子体启辉条件下,芯片表面的反应物可及时随气流排出,确保刻蚀工艺的正常进行。 |
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