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一种进气结构

  • 申请号:CN201110345338.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102420120A
  • 公开(公开)日:2012.04.18
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种进气结构
申请号 CN201110345338.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102420120A 公开(授权)日 2012.04.18
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 席峰;胡冬冬;刘训春;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋
主分类号 H01L21/3065(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I
专利有效期 一种进气结构 至一种进气结构 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域,具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构,包括进气管、匀气筒和匀气盘,所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部,所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内,所述匀气盘设置在所述匀气筒下方。本发明的进气结构形成两个空间,保证两个空间的气流压力梯度在一定范围,有利于反应腔室内气流密度均匀一致;等离子体启辉条件下,芯片表面的反应物可及时随气流排出,确保刻蚀工艺的正常进行。

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