专利详情

专利名称	一种相变存储器器件单元及制备方法
申请号	CN201010152455.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102237488A	公开（授权）日	2011.11.09
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	徐成;宋志棠;刘波;吴关平
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种相变存储器器件单元及制备方法至一种相变存储器器件单元及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种相变存储器的器件单元及其制备方法，该器件单元的加热电极材料为倒锥形，其底面面积小于顶面面积，且位于相变材料单元上方，并向下延伸与相变材料单元接触。本发明先制备好相变材料，然后采用先进半导体刻蚀技术制备出倒锥形的孔，填入加热电极材料并平坦化，使得相变区域发生在相变材料的上沿。由于采用先进的刻蚀技术，可以将倒锥形的孔下端的尺寸进一步缩小，减小加热电极材料与相变材料接触面积，从而达到降低器件单元操作电流、降低功耗和增加器件可靠性的目的。