一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法
- 申请号：CN201010157559.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102236063A
- 公开(公开)日：2011.11.09
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法 | ||
| 申请号 | CN201010157559.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102236063A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;毕津顺;习林茂;韩郑生 |
| 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法 至一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，该方法包括：步骤1：提取绝缘体上硅器件的热阻；步骤2：测试绝缘体上硅器件在应力条件下的漏电流，计算出绝缘体上硅器件在应力条件下的功率，然后利用提取的热阻计算绝缘体上硅器件的实际温度；步骤3：对绝缘体上硅器件做加速应力实验；步骤4：预测绝缘体上硅器件的热载流子寿命。利用本发明，实现了对SOI器件热载流子寿命的准确预测。 | ||
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