半导体器件及其制作方法
- 申请号：CN201010157574.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102237311A
- 公开(公开)日：2011.11.09
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 申请号 | CN201010157574.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102237311A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制作方法 至半导体器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的栅极、栅极两侧的侧墙、以及源/漏区；位于源/漏区上的下接触部，下接触部与侧墙的外壁紧邻形成，且底部覆盖源/漏区的至少一部分，同一晶体管的源/漏区之间通过层间介质层进行隔离；形成在栅极、侧墙、源/漏区以及下接触部上的层间介质层，以及在层间介质层中形成的与下接触部相对应的上接触部。本发明的实施例适用于半导体器件的接触部制造。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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