专利详情

专利名称	一种降低存储器读干扰的电路及方法
申请号	CN201010162241.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102237131A	公开（授权）日	2011.11.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王琴;柳江;刘明
主分类号	G11C16/06(2006.01)I	IPC主分类号	G11C16/06(2006.01)I
专利有效期	一种降低存储器读干扰的电路及方法至一种降低存储器读干扰的电路及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种降低存储器读干扰的电路及方法。该电路包括全局字线、本地字线、存储块、存储子块、位线译码电路、高压切换电路和译码开关。该方法对字线采用两级译码技术，将传统存储块划分成块和子块，在编程和擦除时，存储器对整个块进行编程和擦除操作；在读取时，存储器仅对选中的子块进行读取操作，存储器在读取操作时，读取电压仅加载在选中子块的字线上，而未选中子块的字线电压为零，这样就能使读取操作带来的干扰降低到最小，提高存储数据的保持特性。利用本发明，可使存储器在存储密度不变的情况下，数倍的增加数据保持特性，提高存储器的可靠性；或者在数据保持特性不变的情况下，提高存储器的存储密度，降低单比特存储容量的成本。