一种闪存器件及其制造方法
- 申请号：CN201010171371.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102237367A
- 公开(公开)日：2011.11.09
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种闪存器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010171371.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102237367A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 |
| 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种闪存器件及其制造方法 至一种闪存器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种闪存器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的闪存区；其中，所述闪存区包括：第一掺杂阱，所述第一掺杂阱内通过隔离区分为第一区和第二区，所述第二区内掺杂了与所述第一掺杂阱的导电性能相反的杂质；形成于所述第一掺杂阱上的高k栅介质层；形成于所述高k栅介质层上的金属层。本发明实现了高K介质金属栅与可擦写闪存的兼容，提高了闪存的工作性能。本发明还提供一种与之对应的制造方法，极大地提高了闪存器件的生产效率和成品率。 | ||
交易流程
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