专利详情

专利名称	一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法
申请号	CN201010157530.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102237268A	公开（授权）日	2011.11.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李永亮;徐秋霞
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法至一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成界面SiO2层，然后在其上形成高K栅介质层；所述高K栅介质层经过快速热退火处理后，在其上形成TiN金属栅电极层；在所述TiN金属栅电极层上形成硅栅层，并在其上形成硬掩膜层；光刻，通过干法刻蚀工艺对硬掩膜层进行刻蚀；去胶，以硬掩膜层为掩蔽，通过干法刻蚀工艺对硅栅层进行各向异性刻蚀；通过干法刻蚀工艺对TiN金属栅电极层和高K栅介质层进行高选择比各向异性刻蚀。本发明不仅可以满足TiN金属栅以及高K材料在插入式金属栅叠层结构中制备的需要，而且还能通过优化TiN金属栅和高K介质的刻蚀工艺得到陡直的刻蚀剖面，为实现高K/金属栅的集成提供了必要保证。