半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201010159892.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102237396A
- 公开(公开)日：2011.11.09
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010159892.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102237396A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造领域，根据本发明，该半导体器件包括：半导体衬底；栅极区，位于所述半导体衬底上方；源/漏区，位于所述栅极区两侧，所述源/漏区由应力材料形成；其中，所述栅极区与半导体衬底之间包括应力集中区，所述应力集中区包括上面的SOI层和下面的应力释放层，所述SOI层与上方的栅极区相邻，所述应力释放层与下方的半导体衬底相邻。本发明适用于MOSFET的制造。 | ||
交易流程
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