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用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源

  • 申请号:CN201010220952.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
  • 公开(公开)号:CN101895058A
  • 公开(公开)日:2010.11.24
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源
申请号 CN201010220952.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101895058A 公开(授权)日 2010.11.24
申请(专利权)人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明(设计)人 杨燕;俞敦和;吴姚芳;侯霞
主分类号 H01S5/042(2006.01)I IPC主分类号 H01S5/042(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I
专利有效期 用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源 至用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源,包括半导体激光器驱动电路和高精度温控电路,所述的半导体激光器驱动电路采用高速MOSFET作开关。本发明能根据半导体激光器的参数,通过改变本发明驱动电源电路中的电源电压、电阻和电容,使被驱动的半导体激光器输出所需要的频率高、前沿快、脉宽窄、脉冲峰值可控、波形平滑的激光脉冲。

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