专利详情

专利名称	基于硅基底的宽光谱中短波红外杜瓦窗口及制备工艺
申请号	CN201010234840.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101907494A	公开（授权）日	2010.12.08
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	于天燕;梁俊华;秦杨;章卫祖;刘定权
主分类号	G01J5/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01J5/02(2006.01)I;G02B1/11(2006.01)I
专利有效期	基于硅基底的宽光谱中短波红外杜瓦窗口及制备工艺至基于硅基底的宽光谱中短波红外杜瓦窗口及制备工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于探测器杜瓦封装焊接的宽光谱中短波红外窗口及制备工艺，该窗口以硅为基底材料，其中一个表面的边缘及侧面是由纳米量级镍铬层作为粘合层镀制一定厚度的金膜，称之为金属化层，用于探测器杜瓦的封装焊接。而该表面中间区域及另外一表面是以ZnS和YF3作为高低折射率材料，等效层采用ZnS和Si镀制而成的高低折射率交替的多层膜结构的宽光谱中短波红外减反射膜。该减反射膜采用离子源辅助、合适基底温度等特定工艺镀制而成。该窗口在1.2-4.8μm范围内平均透射率T＞95％，且在2.7-3.0μm范围内未见YF3常见的水汽吸收峰。本发明性能稳定，适合于现代多光谱空间遥感仪器的中短波红外探测器杜瓦窗口。