专利详情

专利名称	一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法
申请号	CN201010256968.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101907719A	公开（授权）日	2010.12.08
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘梦新;韩郑生;赵超荣;刘刚
主分类号	G01T1/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01T1/02(2006.01)I
专利有效期	一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法至一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种对基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计进行退火方法，该方法将经辐照后失效的所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计的正栅电极、背栅电极、源电极以及漏电极接至地线，置于95至105℃环境温度范围下退火230至310小时；之后将环境温度升温至145至155℃范围继续退火80～120小时；然后将所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计取出置于20至25℃环境温度下测试，与该PMOS辐射剂量计未辐照前数据比对校准。