一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法
- 申请号：CN201210072930.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号：CN102592999A
- 公开(公开)日：2012.07.18
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法 | ||
| 申请号 | CN201210072930.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102592999A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 胡伟达;王晓东;陈效双;陆卫 |
| 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法 至一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法，该方法是通过器件模拟发现在材料生长过程中将GaN沟道层的厚度控制在15～22nm之间可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果制作了AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件，进而为优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。 | ||
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