专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201110006429.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102593000A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	罗军;赵超
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种采用后栅工艺制作的新型MOSFET器件及其实现方法，包括，衬底；栅极堆叠结构，位于沟道上；栅极堆叠结构左右消除了传统的隔离侧墙；外延生长的超薄金属硅化物，构成源漏区；其特征在于：外延生长的超薄金属硅化物源漏直接与栅极堆叠控制的沟道接触，从而消除了传统隔离侧墙下面的高阻区；源漏区与沟道区的界面处具有掺杂离子的分离凝结区，可降低在短沟道器件中金属硅化物源漏与沟道接触的肖特基势垒高度。同时，外延生长的金属硅化物可以经受为了提高高k栅介电材料性能进行的高温第二退火，进一步提升了器件的性能。依照本发明的MOSFET，大大减小了寄生电阻电容，从而降低了RC延迟，使得MOSFET器件开关性能达到大幅提升。