专利详情

专利名称	利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法
申请号	CN201210015989.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102593024A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	汤佳杰;罗乐;徐高卫;陈骁
主分类号	H01L21/66(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/66(2006.01)I;G01K7/22(2006.01)I
专利有效期	利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法至利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度。电阻种类可根据需要、性能和成本进行选择，以制造薄膜电阻为例，先在衬底上形成一层氧化层，然后淀积电阻材料，光刻腐蚀形成电阻图形和金属布线，不影响电阻的连接。然后再在衬底表明形成一层钝化层，保护电阻不受外界影响。通过光刻腐蚀开出焊盘窗口。测量前，先对热敏电阻做温度标定，在30～120℃区间作出温度-阻值特性曲线。测量时，先热敏电阻焊盘连接到测试仪器上测电阻；然后，将测试样品放入恒温箱内，待温度稳定后测量电阻值，从而根据温度-阻值特性曲线推算出接面温度值。