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微细结构的光刻方法

  • 申请号:CN201110006476.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102591139A
  • 公开(公开)日:2012.07.18
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 微细结构的光刻方法
申请号 CN201110006476.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102591139A 公开(授权)日 2012.07.18
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 王红丽;闫江
主分类号 G03F7/00(2006.01)I IPC主分类号 G03F7/00(2006.01)I;G03F1/20(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I
专利有效期 微细结构的光刻方法 至微细结构的光刻方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种微细结构的光刻方法,包括:在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模材料层;进行第一光刻,形成第一硬掩模图形;在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模材料层;进行第二光刻,形成第二硬掩模图形。其中。第一光刻和第二光刻的光源不同,选自i线水银弧光灯和电子束曝光系统两者之一。依照本发明的微细结构的光刻方法,将传统光学光刻技术和电子束光刻技术结合起来使用,利用电子束曝光来实现微细图形的制作,利用光学光刻来完成其他图形,这样可以既有效解决微细图形的制作问题,又不损失效率。

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