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一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路

  • 申请号:CN201110004654.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院声学研究所
  • 公开(公开)号:CN102592662A
  • 公开(公开)日:2012.07.18
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路
申请号 CN201110004654.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102592662A 公开(授权)日 2012.07.18
申请(专利权)人 中国科学院声学研究所 发明(设计)人 王东辉;闫浩;洪缨;侯朝焕
主分类号 G11C11/416(2006.01)I IPC主分类号 G11C11/416(2006.01)I
专利有效期 一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路 至一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路 法律状态 授权
说明书摘要 本发明涉及一种存储结构及单端低摆幅位线写入电路,该电路包括:至少1个存储单元和包含第一反相器(I1)的驱动电路;所述第一反相器(I1)的输入端用于写入数据(D);其特征在于,所述驱动电路还包括:第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第一NMOS晶体管(N1)和第二NMOS晶体管(N2);该写入电路还包括反馈控制电路;所述存储单元包括:第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6)。本发明无需额外的参考电压或者电源电压来辅助实现低摆幅幅技术;并通过改进的存储单元支持单端低摆幅写入。

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