
一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路
- 申请号:CN201110004654.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院声学研究所
- 公开(公开)号:CN102592662A
- 公开(公开)日:2012.07.18
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路 | ||
申请号 | CN201110004654.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102592662A | 公开(授权)日 | 2012.07.18 |
申请(专利权)人 | 中国科学院声学研究所 | 发明(设计)人 | 王东辉;闫浩;洪缨;侯朝焕 |
主分类号 | G11C11/416(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/416(2006.01)I |
专利有效期 | 一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路 至一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种存储结构及单端低摆幅位线写入电路,该电路包括:至少1个存储单元和包含第一反相器(I1)的驱动电路;所述第一反相器(I1)的输入端用于写入数据(D);其特征在于,所述驱动电路还包括:第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第一NMOS晶体管(N1)和第二NMOS晶体管(N2);该写入电路还包括反馈控制电路;所述存储单元包括:第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6)。本发明无需额外的参考电压或者电源电压来辅助实现低摆幅幅技术;并通过改进的存储单元支持单端低摆幅写入。 |
交易流程
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专利 -
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