专利详情

专利名称	一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路
申请号	CN201110004654.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102592662A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院声学研究所	发明（设计）人	王东辉;闫浩;洪缨;侯朝焕
主分类号	G11C11/416(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/416(2006.01)I
专利有效期	一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路至一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种存储结构及单端低摆幅位线写入电路，该电路包括：至少1个存储单元和包含第一反相器(I1)的驱动电路；所述第一反相器(I1)的输入端用于写入数据(D)；其特征在于，所述驱动电路还包括：第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第一NMOS晶体管(N1)和第二NMOS晶体管(N2)；该写入电路还包括反馈控制电路；所述存储单元包括：第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6)。本发明无需额外的参考电压或者电源电压来辅助实现低摆幅幅技术；并通过改进的存储单元支持单端低摆幅写入。