专利详情

专利名称	一种制备高纯AlON粉体的方法
申请号	CN201110422073.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102557087A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	高濂;靳喜海;孙静
主分类号	C01F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	C01F7/00(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I
专利有效期	一种制备高纯AlON粉体的方法至一种制备高纯AlON粉体的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备高纯AlON粉体的方法，是首先将纳米Al2O3粉体分散于溶剂中，然后加入热固性树脂的聚合单体，使聚合单体在Al2O3颗粒表面进行原位聚合反应，生成树脂聚合物包覆Al2O3颗粒的复合前驱体，再对所述复合前驱体在惰性气氛中于800～1100℃进行热解反应，最后在氮气氛下于1680～1750℃进行碳热还原反应。本发明可以显著提高热解碳与Al2O3颗粒的接触面积和混合均匀度，阻止碳热还原过程中Al2O3颗粒间的局部烧结和汇聚长大，从而降低了AlON粉体的制备温度及其颗粒尺寸和团聚度，所制备的AlON粉体纯度高，粉体颗粒尺寸不超过1μm。