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基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池

  • 申请号:CN201010196135.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
  • 公开(公开)号:CN101882638A
  • 公开(公开)日:2010.11.10
  • 法律状态:著录事项变更
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池
申请号 CN201010196135.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101882638A 公开(授权)日 2010.11.10
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 马绍栋;郑婉华;陈微;周文君;刘安金;彭红玲
主分类号 H01L31/042(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0256(2006.01)I
专利有效期 基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池 至基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池 法律状态 著录事项变更
说明书摘要 本发明提供一种基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池,包括:一下电极;一N型材料层,该N型材料层制作在下电极上;一第一TCO薄膜层,该第一TCO薄膜层制作在N型材料层上;一第二TCO薄膜层,该第二TCO薄膜层键合在第一TCO薄膜层上;一P型材料层,该P型材料层制作在第二TCO薄膜层上;一上图形电极,该上图形电极制作在P型材料层上。

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