一种基于光发射二极管紫外灯光的微流体制备方法
- 申请号：CN201210563453.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学技术大学
- 公开(公开)号：CN103011062A
- 公开(公开)日：2013.04.03
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种基于光发射二极管紫外灯光的微流体制备方法 | ||
| 申请号 | CN201210563453.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103011062A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 何立群;吴平;季杰 |
| 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种基于光发射二极管紫外灯光的微流体制备方法 至一种基于光发射二极管紫外灯光的微流体制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种基于光发射二极管紫外灯光的微流体制备方法。该方法利用20mW/cm2低功率紫外光(365nm)刻蚀涂在硅表面的有机涂层，形成最小宽度约50μm的槽，槽的横截面为矩形，立面高度可以通过调节均胶机转数进行控制。在整个工艺过程中，操作环境可在超净环境内完成，也可在普通暗室内完成。相比于传统方法，该微流体制备方法方便简单，成本低，易于普及。 | ||
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