专利详情

专利名称	深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法
申请号	CN201210532854.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103018206A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	金春水;靳京城;李春;邓文渊;常艳贺
主分类号	G01N21/47(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/47(2006.01)I;G01N21/59(2006.01)I
专利有效期	深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法至深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法，属于深紫外光学技术应用领域，该方法包括一：测试氟化物薄膜样品在镀制完成之初的反射率R0或透过率T0；二：氟化物薄膜样品在放置于应用环境系统中使用或存储一段时间后，测试样品吸附有机物和水汽后的反射率R1或透过率T1；三：用ArF准分子激光器对样品表面进行低功率能量密度辐照，整个光路系统中吹扫干燥的高纯N2，同时用能量计监测透射激光能量；四：对ArF准分子激光器激光辐照后的样品进行步骤一所述的光谱测试，得到经激光辐照后样品的反射率R2或透过率T2；五：当测试值为透过率T时，由η=η1+η2?=(T2-T1)/T1+(T0-T2)/T0运算吸附因子η。