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一种基体表面高硬度低磨损的 MoS2复合薄膜的制备方法

  • 申请号:CN201310026859.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 公开(公开)号:CN103060765A
  • 公开(公开)日:2013.04.24
  • 法律状态:公开
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种基体表面高硬度低磨损的 MoS2复合薄膜的制备方法
申请号 CN201310026859.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103060765A 公开(授权)日 2013.04.24
申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明(设计)人 柯培玲;秦晓鹏;汪爱英;王振玉;张栋
主分类号 C23C14/35(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I
专利有效期 一种基体表面高硬度低磨损的 MoS2复合薄膜的制备方法 至一种基体表面高硬度低磨损的 MoS2复合薄膜的制备方法 法律状态 公开
说明书摘要 本发明公开了一种基体表面高硬度低磨损的MoS2复合薄膜的制备方法,该方法采用高功率脉冲磁控溅射技术,结合优化的工艺条件,在基体表面依次沉积金属Ti打底层、TiN过渡层,以及Ti/MoS2复合薄膜,得到强膜基结合力、高硬度,并且在多种摩擦环境中具有低的摩擦系数和磨损率的MoS2复合薄膜,其纳米硬度为11GPa以上,临界载荷值为60N以上,在相对湿度为30%、50%、70%的室温空气,N2气氛和液压油环境中的摩擦系数均在0.055以下,因此能够对基体进行有效的减摩防护,具有良好的应用前景。

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