专利详情

专利名称	一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器
申请号	CN200910080640.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101847436A	公开（授权）日	2010.09.29
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	刘东屏;韩秀峰
主分类号	G11C11/15(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/15(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I
专利有效期	一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器至一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器，包括记忆单元、选择开关以及用于实现对所述记忆单元读写的布线，所述记忆单元采用多层膜磁性隧道结；其特征在于，所述选择开关采用垂直晶体管，所述垂直晶体管包括由下至上设置的源极区、栅极区和漏极区，所述漏极区上方连接有漏极区电极层，所述多层膜磁性隧道结制作在所述漏极区电极层上。本发明器不仅提高MRAM在高密度集成方面的能力，还可进一步降低整个器件的功耗，提高抗击穿性能和抗辐射性能等。