专利详情

专利名称	一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列方法
申请号	CN201010143745.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101847592A	公开（授权）日	2010.09.29
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	黄秋平;罗乐;徐高卫;袁媛
主分类号	H01L21/60(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/60(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列方法至一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法，其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻，然后制作种子层，在需要沉积铟的地方，涂覆厚正光刻胶，光刻出“模子”，形成薄胶/种子层/厚胶的结构，以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱，借助于超声将种子层剥离，最后在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流，获得铟焊球阵列。本发明提供一种全新的去除种子层工艺，成功制备出质量高的小间距、小焊球、大阵列的铟焊球。