一种Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4基薄膜太阳电池
- 申请号：CN201010118299.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN101847669A
- 公开(公开)日：2010.09.29
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4基薄膜太阳电池 | ||
| 申请号 | CN201010118299.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101847669A | 公开（授权）日 | 2010.09.29 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;王耀明 |
| 主分类号 | H01L31/068(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/068(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4基薄膜太阳电池 至一种Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4基薄膜太阳电池 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种I2-II-IV-VI4基薄膜太阳电池。属于太阳电池新能源领域。本发明以p型I2-II-IV-VI4基半导体薄膜作为吸光层，以与吸光层同质的薄膜作为缓冲层，优化电池p-n结能带带阶；以高功函数的双层复合薄膜作为电池的底电极，消除光吸收层与底电极的接触势垒；以宽带隙的ZnS半导体薄膜作为窗口层，提高电池的光利用效率。本发明所提供的I2-II-IV-VI4基薄膜太阳电池，原料丰富、廉价，具有优良的器件结构。 | ||
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