专利详情

专利名称	半导体器件及其形成方法
申请号	CN201010612577.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569086A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海州;钟汇才;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其形成方法至半导体器件及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：提供硅基底，所述硅基底上形成有栅堆叠结构，所述硅基底的晶面指数为{100}；形成层间介质层，覆盖所述硅基底的表面；在所述层间介质层和/或栅堆叠结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向<110>且垂直于所述栅堆叠结构的延伸方向；在所述第一沟槽中填充第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层。本发明以较简单的工艺在沟道宽度方向引入张应力，提高了器件的响应速度，改善了器件性能。