专利详情

专利名称	提高静电保护器件维持电压的方法
申请号	CN201210048205.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569294A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	姜一波;杜寰
主分类号	H01L27/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/02(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I
专利有效期	提高静电保护器件维持电压的方法至提高静电保护器件维持电压的方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	公开了一种提高静电保护器件维持电压的方法，包括：首先在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件；然后在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。本发明提供的一种提高静电保护器件维持电压的方法，在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件，在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入如二极管、二极管串、晶体管或MOS管等可抑制可控硅正反馈的半导体元件，抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。