专利详情

专利名称	MOS晶体管及其制作方法
申请号	CN201010606342.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102544095A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	于伟泽;尹海洲
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I
专利有效期	MOS晶体管及其制作方法至MOS晶体管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅介质层，伪栅，以及所述伪栅两侧的半导体衬底内的源区重掺杂区和漏区重掺杂区，其中，所述伪栅两侧还具有栅极侧墙；去除伪栅以在栅极侧墙内形成栅沟槽；在所述栅沟槽内靠近源区的一侧形成栅极；以所述栅极为掩膜在栅沟槽下方形成漏区LDD区。本发明提供的MOS晶体管及其制作方法中，所述栅极为非对称的结构，即仅位于栅沟槽内靠近源区一侧，在制作过程中，利用非对称的栅极作为掩膜，可以形成非对称的LDD区，省去了一道光刻工艺，能够降低制作成本，而且也可以缩小器件所占面积，有利于提高晶体管的集成度。