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一种获得高品质薄膜样品X射线吸收谱的方法

  • 申请号:CN201210591180.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院高能物理研究所
  • 公开(公开)号:CN103076352A
  • 公开(公开)日:2013.05.01
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种获得高品质薄膜样品X射线吸收谱的方法
申请号 CN201210591180.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103076352A 公开(授权)日 2013.05.01
申请(专利权)人 中国科学院高能物理研究所 发明(设计)人 张静;陈栋梁;安鹏飞;宋冬燕;谢亚宁;胡天斗
主分类号 G01N23/223(2006.01)I IPC主分类号 G01N23/223(2006.01)I
专利有效期 一种获得高品质薄膜样品X射线吸收谱的方法 至一种获得高品质薄膜样品X射线吸收谱的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种获取高品质薄膜样品X射线吸收谱的方法,在薄膜样品的测量过程中,采用干式胶片曝光其单晶衬底所致衍射斑点后,通过铅皮遮蔽曝光点,阻止衬底所致的衍射信号进入探测器,从而得到高品质薄膜样品X射线吸收谱。这种干式胶片由碳,氮,氧及微量的锂元素构成,有效原子序数在6-8之间,胶片厚度约为100-200微米,不会对硬X射线吸收谱测量带来严重背底,特别是还可以和探测器中的滤光片集成,同时滤除由于入射光引起的散射效应和薄膜样品基底导致的衍射效应,从而,提供一种简便有效的途径,获得薄膜样品的高品质X射线吸收光谱。

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