专利详情

专利名称	制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法
申请号	CN201210033017.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102545054A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;王伟;潘教青;王圩
主分类号	H01S5/323(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/323(2006.01)I
专利有效期	制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法至制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法，包括：在硅衬底上生长二氧化硅层；在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；清洗；先在沟槽内依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；接着在第二缓冲层和二氧化硅层上生长第三缓冲层，然后在第三缓冲层生长顶层；将顶层抛光，抛光后的粗糙度小于1nm，然后清洗；在顶层上依次外延第四缓冲层、刻蚀停止层以及激光器结构；将激光器结构刻蚀成深脊，在深脊上刻蚀成浅脊；在深脊和浅脊的表面及刻蚀停止层上生长二氧化硅绝缘层；在浅脊上形成窗口，去除刻蚀停止层上的二氧化硅绝缘层；在浅脊的窗口处溅射钛铂金P电极；在刻蚀停止层上蒸发金锗镍N电极；退火。