专利详情

专利名称	电可调谐光栅耦合器
申请号	CN201210012013.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102565955A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	陈弘达;张赞允;黄北举;张赞
主分类号	G02B6/34(2006.01)I	IPC主分类号	G02B6/34(2006.01)I;G02B6/124(2006.01)I
专利有效期	电可调谐光栅耦合器至电可调谐光栅耦合器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种电可调谐光栅耦合器，包括：一SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；一斜入射光栅耦合器，位于SOI衬底之上的顶层硅层上；一P+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内；一N+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的另一侧平板区域内；一对电极，位于P+掺杂区和N+掺杂区的上方，通过金属接触通孔分别与P+掺杂区和N+掺杂区相连，用于电信号的加载；一模式转换器，一端为宽波导，该模式转换器位于斜入射光栅耦合器的一端，具有宽波导的一端与斜入射光栅耦合器的一端耦合；一单模脊型波导，与斜入射光栅耦合器分别位于模式转换器的两端；一衬底金反射镜，嵌入于SOI衬底底部的硅衬底中，斜入射光栅耦合器和埋氧层的下方。