专利详情

专利名称	MOS晶体管及其制作方法
申请号	CN201010606316.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569391A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	于伟泽;尹海洲
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	MOS晶体管及其制作方法至MOS晶体管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，该MOS晶体管包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的栅极结构；所述栅极结构两侧的半导体衬底表面内的源区和漏区；所述栅极结构下方的沟道；其特征在于，所述沟道内靠近漏区的一端具有异质区，所述异质区的介电常数大于沟道内其他区域。所述MOS晶体管的沟道漏端具有异质区，异质区为介电常数比沟道其他区域大的半导体材料，由于异质区位于漏端，使得漏端电场相对降低，源端电场相对增强，相对于传统的非对称沟道MOS晶体管进一步增加了源端的载流子迁移率，从而能够提高器件的驱动电流，而且漏端较低的横向电场能够进一步防止漏端击穿现象发生。