专利详情

专利名称	一种半导体器件及其形成方法
申请号	CN201010557270.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102479801A	公开（授权）日	2012.05.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	骆志炯;尹海洲;朱慧珑
主分类号	H01L29/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种半导体器件及其形成方法至一种半导体器件及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体器件，所述半导体器件形成于半导体衬底上，所述半导体器件包括栅极堆叠、沟道区和源漏区，所述栅极堆叠形成于所述沟道区上，所述沟道区位于所述半导体衬底中，所述源漏区嵌于所述半导体衬底中，所述源漏区包括侧壁和底壁，远离所述底壁的部分所述侧壁与所述沟道区之间夹有第二半导体层，所述底壁中至少远离所述侧壁的部分经第一半导体层接于所述半导体衬底，所述底壁和/或所述侧壁的剩余部分经绝缘层接于所述半导体衬底。还提供了一种半导体器件的形成方法，利于减少源漏区内的掺杂离子向半导体衬底中扩散。