专利详情

专利名称	一种垂直型NROM存储结构及其制备方法
申请号	CN201010573812.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102479823A	公开（授权）日	2012.05.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	霍宗亮;刘明;刘璟;张满红
主分类号	H01L29/792(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/792(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种垂直型NROM存储结构及其制备方法至一种垂直型NROM存储结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种垂直型NROM存储结构及其制备方法。该垂直型NROM存储结构包括：硅衬底；位于硅衬底表面的浅槽隔离区；位于硅衬底表面，被浅槽隔离区包围的漏极；位于漏极上方的竖直沟道；位于竖直沟道上端，被隔离介质包围的漏极区域；形成于竖直沟道表面的存储功能层堆栈结构；在沟道表面分隔存储功能层堆栈结构的隔离介质层；以及栅电极。本发明提供的垂直型NROM存储结构可以在一个存储单元中实现4-bit以上数据存储，由于引入了隔离介质来抑制相邻存储位之间的串扰，所以相比于平面结构的NROM器件，该结构可以满足进一步的变比要求。该存储器件有效利用了竖直方向的空间，极大的提高了集成密度。