专利详情

专利名称	纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途
申请号	CN201010105702.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101783391A	公开（授权）日	2010.07.21
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋三年;宋志棠
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途至纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途，其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为8-36％的Ta2O5、和重量百分比为64-92％的相变材料，由于相变材料与Ta2O5在纳米尺度的均匀复合，Ta2O5的存在一方面抑制了相变材料晶粒的长大，提升了材料的电阻率和晶化温度，增加了材料的热稳定性；另一方面由于晶界密度的增加，材料的热导率减小，同时Ta2O5的引入提升了材料的介电常数，有利于器件阈值电压的减小。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。