专利详情

专利名称	一种对上电极进行费米能级修饰的方法
申请号	CN200910077528.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101783394A	公开（授权）日	2010.07.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种对上电极进行费米能级修饰的方法至一种对上电极进行费米能级修饰的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种对上电极进行费米能级修饰的方法，该方法包括：步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤3、在有机半导体材料上通过漏版用电子束蒸发蒸镀一层金属镍，并让金属镍在空气中自然氧化成氧化镍；步骤4、继续通过漏版用电子束蒸发蒸镀金属电极，完成器件的制作。利用本发明，不仅能有效减小金电极对有机半导体层的渗透和反应，同时，自然氧化的氧化镍层作为一种高功函数的过渡层，减小了金电极与有机半导体层之间肖特基势垒，从而改善了电极与有源层的接触。