专利详情

专利名称	一种磁声电阻抗成像方法及装置
申请号	CN201010117562.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101791219A	公开（授权）日	2010.08.04
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	刘国强;夏慧;贺文静;张洋;李艳红;徐路遥
主分类号	A61B5/055(2006.01)I	IPC主分类号	A61B5/055(2006.01)I;A61B5/053(2006.01)I
专利有效期	一种磁声电阻抗成像方法及装置至一种磁声电阻抗成像方法及装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种磁声电阻抗成像方法，其特征在于利用加速度传感器测量由于脉冲磁场激励的感应涡流在静态磁场作用下产生的洛伦兹力振动位移波形信号，根据位移波形信号与电导率的非线性关系，通过图像重建得到成像体的电导率图像。应用本发明方法的装置，包括脉冲激励器、激励线圈、静磁体、加速度传感器阵列、数据采集器和计算机。其中激励线圈和静磁体置于成像体两侧。加速度传感器阵列环绕成像体分布。脉冲激励器通过电缆连接激励线圈。加速度传感器阵列、数据采集器、计算机依次连接。