
一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用
- 申请号:CN201210113297.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
- 公开(公开)号:CN102659810A
- 公开(公开)日:2012.09.12
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用 | ||
申请号 | CN201210113297.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102659810A | 公开(授权)日 | 2012.09.12 |
申请(专利权)人 | 中国科学院化学研究所 | 发明(设计)人 | 于贵;黄剑耀;王丽萍;罗皓;朱敏亮;陈华杰;刘云圻 |
主分类号 | C07D495/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D495/04(2006.01)I;C07D495/22(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I |
专利有效期 | 一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用 至一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用。并四噻吩衍生物,结构如式(I)所示,其中,R为氢、烷基或芳基。本发明还提供了式(I)化合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效;原料为商业化的廉价产品,合成成本低;合成方法具有普适性,可以推广应用到其他各种取代基取代的并四噻吩衍生物的合成。以本发明合成的[1]苯并噻吩并[3”.2”:4’,5’]噻吩并[2’.3’:4,5]噻吩并[2,3-b][1]苯并噻吩为有机半导体层制备的OFET的迁移率和开关比都比较高,迁移率最高为0.05cm2V-1s-1,开关比大于106,它们在OFET器件中有良好的应用前景。式I |
交易流程
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专利 -
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