专利详情

专利名称	一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法
申请号	CN201210093722.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102659447A	公开（授权）日	2012.09.12
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	张劲松;田冲;曹小明;杨振明
主分类号	C04B38/06(2006.01)I	IPC主分类号	C04B38/06(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;B01D71/02(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I
专利有效期	一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法至一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法，该种纯质碳化硅过滤膜层具有高通孔隙率、低压降、强度高、抗热冲击性能好、使用温度高的特点，制备方法易于实现，能够保证产品性能。纯质碳化硅过滤膜层的组成为纯质SiC，表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成，孔径0.1～20μm，膜层孔隙率在25～50％之间。采用细碳化硅颗粒、硅粉、造孔剂添加剂及有机树脂配制膜层原料，采用喷涂或浸渍方法表面制备膜层，经干燥后，烧结得到纯质碳化硅膜层。本发明可在氧化气氛下使用，也可以在还原气氛下使用，耐酸、碱腐蚀性能强，可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。