专利详情

专利名称	可用于相变存储器多级存储的相变材料
申请号	CN200410067987.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1604210	公开（授权）日	2005.04.06
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘波;宋志棠;封松林;陈邦明
主分类号	G11B7/24	IPC主分类号	G11B7/24;G11C13/04
专利有效期	可用于相变存储器多级存储的相变材料至可用于相变存储器多级存储的相变材料	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种可用于相变存储器多级存储的相变材料。其特征在于所述的相变材料为掺杂氮或硼的 Ge₂Sb_{2Te₅存储材料，其掺杂量为 0.01－10原子百分比的氮或0.01－5原子百分比的硼。相变材料结构状态的改变将伴随着电阻性能的变化，其变化幅度可以达到多个数量级，脉冲电压可以使相变材料在不同的结构状态之间可逆转换，利用不同状态间电阻性能的改变可以实现相变存储器的多级存储，从而突破传统的“0”与“1”的存储模式，并且可以在不改变存储器器件结构的情况下大幅度提高存储器的密度。}