专利详情

专利名称	一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法
申请号	CN200410067217.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1610113	公开（授权）日	2005.04.27
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘卫丽;宋志棠;封松林;陈邦明
主分类号	H01L27/092	IPC主分类号	H01L27/092;H01L21/8238
专利有效期	一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法至一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体 (CMOS)器件结构及其制备方法，属微电子技术领域。本发明的特征是提出了三维多层CMOS结构，层与层之间用连线连接。制备该结构的关键是能够制备出多层由绝缘层隔离的单晶薄膜，本发明提出低温键合和低温剥离的工艺，将单晶薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶薄膜上制备器件有源层。本发明提出的三维CMOS没有改变CMOS的基本结构，采用常规的 CMOS工艺和设备条件就可实现高密度集成，工艺方法简单，并可减少金属互连线的长度和层数，提高器件的速度。