专利详情

专利名称	硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用
申请号	CN200410066674.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1616572	公开（授权）日	2005.05.18
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张楷亮;宋志棠;刘波;刘卫丽;封松林;陈邦明
主分类号	C09G1/02	IPC主分类号	C09G1/02;H01L21/306
专利有效期	硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用至硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料 Ge_xSb_{yTe_(1－x－y)化学机械抛光 (CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料 Ge_xSb_{yTe_(1－x－y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料 Ge_xSb_{yTe_(1－x－y)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。}}}