专利详情

专利名称	一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法
申请号	CN201110054585.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102127803A	公开（授权）日	2011.07.20
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李红军;胡克艳;徐军;郭鑫;苏良碧;陈伟超;钱小波;唐慧丽
主分类号	C30B11/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B11/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I
专利有效期	一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法至一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法，为坩埚下降法，其特征在于：所述坩埚为长方体状异形坩埚，包括上部的埚体和下部的籽晶槽，所述籽晶槽与所述埚体由平滑过渡的弧面相连接，且籽晶槽与埚体均呈长方体状，长方体埚体相邻侧面为平滑过渡的倒角圆弧；所述籽晶槽的宽度小于埚体的宽度，籽晶槽的长度与埚体的长度相等。本发明通过采用特制形状的异形坩埚，利用熔体下降法技术，制得了大尺寸、高质量的能满足LED衬底用的c面蓝宝石晶体，且成品率高；提高了蓝宝石材料的利用率，有效的降低了成本；并且该生长技术过程操作简单，易于控制和自动化生产。