专利详情

专利名称	193nmP光大角度减反射薄膜元件的制备方法
申请号	CN201210488002.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102928894A	公开（授权）日	2013.02.13
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	金春水;靳京城;李春;邓文渊;常艳贺
主分类号	G02B1/11(2006.01)I	IPC主分类号	G02B1/11(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I
专利有效期	193nmP光大角度减反射薄膜元件的制备方法至193nmP光大角度减反射薄膜元件的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	193nm?P光大角度减反射薄膜元件的制备方法，涉及ArF准分子激光应用技术领域，解决了P偏振态193nm激光光束大角度入射扩束棱镜组时，由于剩余反射导致该模块光学损耗过大的问题。本发明在采用真空热沉积方法在基底上交替沉积LaF3薄膜层和MgF2薄膜层，通过对LaF3薄膜层和MgF2薄膜层进行光学常数解析，特别针对LaF3薄膜层进行厚度优化，在不影响光谱指标的情况下，极力压缩每层LaF3薄膜层的厚度，使多层LaF3薄膜层的总厚度小于40nm；实现对减反射薄膜元件的制备。本发明可以实现P偏振态ArF激光在71o入射时仍具有极低的反射率，大大提高ArF激光器的输出效率。