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193nmP光大角度减反射薄膜元件的制备方法

  • 申请号:CN201210488002.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 公开(公开)号:CN102928894A
  • 公开(公开)日:2013.02.13
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 193nmP光大角度减反射薄膜元件的制备方法
申请号 CN201210488002.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102928894A 公开(授权)日 2013.02.13
申请(专利权)人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明(设计)人 金春水;靳京城;李春;邓文渊;常艳贺
主分类号 G02B1/11(2006.01)I IPC主分类号 G02B1/11(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I
专利有效期 193nmP光大角度减反射薄膜元件的制备方法 至193nmP光大角度减反射薄膜元件的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 193nm?P光大角度减反射薄膜元件的制备方法,涉及ArF准分子激光应用技术领域,解决了P偏振态193nm激光光束大角度入射扩束棱镜组时,由于剩余反射导致该模块光学损耗过大的问题。本发明在采用真空热沉积方法在基底上交替沉积LaF3薄膜层和MgF2薄膜层,通过对LaF3薄膜层和MgF2薄膜层进行光学常数解析,特别针对LaF3薄膜层进行厚度优化,在不影响光谱指标的情况下,极力压缩每层LaF3薄膜层的厚度,使多层LaF3薄膜层的总厚度小于40nm;实现对减反射薄膜元件的制备。本发明可以实现P偏振态ArF激光在71o入射时仍具有极低的反射率,大大提高ArF激光器的输出效率。

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