专利详情

专利名称	一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法
申请号	CN200910237150.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102053101A	公开（授权）日	2011.05.11
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	刘新风;宁廷银;裘晓辉
主分类号	G01N25/20(2006.01)I	IPC主分类号	G01N25/20(2006.01)I
专利有效期	一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法至一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法，该方法包括使被测半导体纳米线材料悬挂于刻蚀有凹槽的基片上；通过扫描电子显微镜确定出待测半导体纳米线的直径D1和悬挂于凹槽之上半导体纳米线样品悬空部分的长度L；选择激发光源，当激光聚焦在该纳米线悬空部分中心并改变激光强度时，观察到纳米线的带边荧光发射峰的峰位发生显著红移，测量纳米线荧光光谱随温度的变化关系，估算悬空纳米线部分在激光照射下的局域温度，从而得到在一定激光功率密度下纳米线的温度梯度。根据一维纳米线样品的导热方程：K＝χ(2L/πD12)(δλ/δPA)-1的计算，推导出单根纳米线的热导率。本发明利用半导体材料荧光性质推算局域温度和热导率的方法，实际运用于非接触式微纳热性能测量方面。