专利详情

专利名称	存储单元测试电路及其测试方法
申请号	CN201110208077.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102903392A	公开（授权）日	2013.01.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王一奇;韩郑生;赵发展;刘梦新;毕津顺
主分类号	G11C29/08(2006.01)I	IPC主分类号	G11C29/08(2006.01)I
专利有效期	存储单元测试电路及其测试方法至存储单元测试电路及其测试方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种存储单元测试电路，包括：存储单元阵列，用于储存信息数据；预充电电路，用于对存储单元阵列的位线进行预充电；写电路，用于将数据写入存储单元阵列；读取电路，用于感应存储单元阵列中的信息获得信号，并放大信号，通过驱动电路驱动信号到压焊点上，使得信号的电流满足测试仪器的驱动要求。本发明还公开了一种存储单元功能测试的方法。本发明公开的上述方案，解决了测试芯片中遇到的占用面积大、设计成本昂贵、设计周期长的问题，在版图设计时可以将新型存储单元直接嵌入到存储单元测试模块中，只需要采用合适的印刷板电路和普通的测试仪器，即可以应用于单粒子实验中的存储器测试，在一次流片中就可以制作多种不同电路结构的存储单元的测试模块。